第一章導論第二章真空和氣體分子動力學2.1前言2.2真空和狀態方程式2.2.1何謂真空2.2.2理想氣體和氣體性質2.3氣體的壓力和內部能量2.3.1壓力和分子速度2.3.2氣體的內部能量2.4全壓和分壓2.5氣體分子速度的分佈定律2.5.1Maxwell-Boltzmann分佈2.5.2通過單位面積的分子數2.5.3餘弦定律2.6平均自由路徑和碰撞機率2.6.1平均自由路徑2.6.2碰撞機率2.6.3混合氣體的平均自由路徑2.7真空中的氣流2.7.1黏性流和分子流2.7.2氣導2.7.3排氣量和排氣速度2.7.4氣體添加和壓力控制，平均停留時間2.8真空設備2.8.1真空容器和管路2.8.2真空泵浦第三章電漿的基礎3.1前言3.2何謂電漿3.2.1電漿中的粒子狀態3.2.2電磁場中的帶電粒子運動3.3電子和氣體分子的碰撞過程3.3.1彈性碰撞和非彈性碰撞3.3.2碰撞過程3.3.3碰撞截面積3.4接觸物體的電漿構造3.5電漿設備和電漿的內部現象3.5.1直流電漿3.5.2高頻電漿3.5.3微細加工用的新電漿第四章物理蒸鍍法(PVD)4.1前言4.2真空蒸鍍法4.2.1蒸發和蒸鍍4.2.2真空蒸鍍源和各種蒸鍍法4.2.3真空蒸鍍法的特徵4.3濺鍍法4.3.1何謂濺鍍法4.3.2濺鍍法的沉積過程4.3.3濺鍍沉積設備4.3.4其它的濺鍍沉積法第五章薄膜的形成過程5.1前言5.2薄膜成長與其表面5.2.1原子沉積和膜的型態5.2.2薄膜表面5.3晶核的產生5.3.1以平衡理論解釋5.3.2晶核產生的速度理論5.4薄膜組織的發展5.4.1島的成長和結合5.4.2多晶薄膜組織的發展5.4.3磊晶成長第六章蝕刻6.1前言6.2蝕刻加工的分類6.3濕蝕刻6.3.1等向性蝕刻6.3.2異向性蝕刻6.4物理性乾蝕刻6.5化學性乾蝕刻6.5.1熱反應性化學蝕刻6.5.2電漿蝕刻6.5.3光化學蝕刻和電荷累積6.6物理+化學性乾蝕刻6.6.1反應性離子蝕刻(RIE)6.6.2其它的離子輔助蝕刻法第七章微影7.1前言7.2微影概述7.3光阻製程7.3.1光阻材料7.3.2塗佈製程7.4光罩7.4.1光罩材料7.4.2光罩圖案的設計7.5曝光7.5.1曝光設備7.5.2光源附錄A基本常數表和真空單位附錄B材料科學相關的記述附錄C分佈函數和Maxwell-Boltzmann分佈附錄D對數刻度和對數圖參考文獻索引

第一章導論第二章真空和氣體分子動力學2.1前言2.2真空和狀態方程式2.2.1何謂真空2.2.2理想氣體和氣體性質2.3氣體的壓力和內部能量2.3.1壓力和分子速度2.3.2氣體的內部能量2.4全壓和分壓2.5氣體分子速度的分佈定律2.5.1Maxwell-Boltzmann分佈2.5.2通過單位面積的分子數2.5.3餘弦定律2.6平均自由路徑和碰撞機率2.6.1平均自由路徑2.6.2碰撞機率2.6.3混合氣體的平均自由路徑2.7真空中的氣流2.7.1黏性流和分子流2.7.2氣導2.7.3排氣量和排氣速度2.7.4氣體添加和壓力控制，平均停留時間2.8真空設備2.8.1真空容器和管路2.8.2真空泵浦第三章電漿的基...