目錄
目錄第一章 簡 介11.1 數位電子生態11.2 數位電路特性41.3 數位電路家族51.4 數位IC設計流程81.5 數位IC趨勢101.6 結 論17第二章 CMOS製程技術192.1 基礎CMOS製程192.2 2mn-wellCMOS製程所需的光罩302.3 P-wellvs.N-well322.4 CMOS中之Latchup342.5 CMOS元件之高電場效應392.6 LDD結構452.7 Double-DiffusedDrain(DDD)結構472.8 BuriedChannelPMOS492.9 CMOS元件之演進552.10 SOICMOS元件572.11 BiCMOS技術612.12 深次微米CMOS技術732.13 結 論81第三章 CMOS元件模型873.1 MOSCV873.2 ThresholdVoltage903.3 Drain電流963.4 BodyEffect993.5 小訊號模型1013.6 Short-ChannelEffect(短通道效應)1033.7 Narrow-ChannelEffect(窄通道效應)1053.8 Subthreshold特性1063.9 Mobility1093.10 電容模型1143.11 TransitTime(通過時間)1213.12 ScalingofMOS元件1253.13 深次微米MOS元件模型1273.14 低溫CMOS元件1403.15 SPICE模型1413.15.1 DC模型1423.15.2 Mobility模型1463.15.3 AC模型1473.16 結 論148第四章 SOICMOS元件1534.1 SOICMOS元件之結構1534.1.1 部分解離vs.完全解離1534.1.2 Accumulationvs.Inversion1554.1.3 Double-gate1574.2 SOICMOS元件之特質1584.3 Thresholdvoltage1624.3.1 NMOS元件1624.3.2 PMOS元件1684.4 Short-channelEffect(短通道效應)1734.4.1 水平方向1734.4.2 垂直方向1774.4.3 Thresholdvoltage1784.5 Narrow-channelEffect(窄通道效應)1794.6 SOI散熱效應1864.7 ImpactIonization(撞擊游離)1884.8 結 論193第五章 CMOS邏輯電路1975.1 MOS邏輯電路家族1975.2 MOS邏輯電路性能之評估1995.2.1 DC評估1995.2.2 AC評估2015.2.3 其他評估2035.3 MOS邏輯電路之演進2035.3.1 電阻負載(Resistive-LoadInverter)2045.3.2 線性負載(LinearLoadInverter)2075.3.3 飽合負載(Saturation-LoadInverter)2105.3.4 Depletion負載2145.3.5 Inverter比較2215.4 CMOS邏輯電路2225.4.1 DC分析2235.4.2 AC分析2265.4.3 NOR、NAND2345.4.4 XOR、XAND2365.5 Scaling2365.6 Switch邏輯電路2395.6.1 Clocked靜態電路2395.6.2 Switch邏輯電路2395.7 動態邏輯電路2405.7.1 Domino電路2445.7.2 NORA電路2455.8 基本系統電路2465.8.1 加法器2465.8.2 Carrylook-ahead2475.9 Latch電路2495.9.1 Asynchronouslatch2495.9.2 Synchronouslatch2505.10 輸入ESD保護電路及三態電路2505.10.1 輸入靜電保護電路2515.10.2 三態電路2525.11 設計策略2535.11.1 Semi-custom(半定製)2545.11.2 Full-Custom(全定製)2575.12 結 論259第六章 CMOS記憶體2636.1 簡 介2636.2 記憶体基本結構2686.3 SRAM2726.3.1 Memorycell(記憶元)2726.3.2 Rowdecoder2756.3.3 SenseAmp(感應放大器)2786.3.4 衍生架構2836.3.5 未來趨勢2846.4 DRAM2896.4.1 Memorycell(記憶元)2916.4.2 SenseAmp(感應放大器)2936.4.3 未來趨勢2966.5 非揮發性記憶体2996.5.1 ROM3016.5.2 EPROM3046.5.3 EEPROM3056.6 結 論308索 引311xi
目錄第一章 簡 介11.1 數位電子生態11.2 數位電路特性41.3 數位電路家族51.4 數位IC設計流程81.5 數位IC趨勢101.6 結 論17第二章 CMOS製程技術192.1 基礎CMOS製程192.2 2mn-wellCMOS製程所需的光罩302.3 P-wellvs.N-well322.4 CMOS中之Latchup342.5 CMOS元件之高電場效應392.6 LDD結構452.7 Double-DiffusedDrain(DDD)結構472.8 BuriedChannelPMOS492.9 CMOS元件之演進552.10 SOICMOS元件572.11 BiCMOS技術612.12 深次微米CMOS技術732.13 結 論81第三章 CMOS元件模型873.1 MOSCV873.2 ThresholdVoltage903.3 ...
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