研究所講重點【半導體元件】

第一章 半導體元件簡介與固體結晶結構
1-1 半導體元件形成構
1-2 半導體元件之理論架構
1-3 半導體之產業分類
1-4 固體的型式
1-5 晶體之結構
1-6 Miller 指標
1-7 原子之鍵結
1-8 固體中之缺陷及雜質
1-9 半導體材料的成長
試題演練

第二章 量子力學與固態量子理論導論
2-1 量子力學原理
2-2 Schrodinger 波動方程式
2-3 Schrodinger 波動方程式的應用
2-4 波理論延伸至原子
2-5 能帶的形成
2-6 半導體之能帶結構
2-7 狀態密度函數
2-8 統計力學
試題演練

第三章 平衡半導體
3-1 平衡狀態下的電子與電洞濃度
3-2 本質半導體
3-3 摻雜原子及能階
3-4 外質半導體
3-5 電中性
3-6 費米能階位置
試題演練

第四章 載子傳輸現象
4-1 漂移電流
4-2 載子擴散
4-3 漸變雜質分佈
4-4 Hall 效應
試題演練

第五章 半導體的不平衡過量載子
5-1 載子產生與復合
5-2 過量載子的數學分析
5-3 雙極性傳輸
5-4 準費米能階
5-5 過量載子生命期
5-6 表面效應
試題演練

第六章 PN 接面
6-1 PN 接面之基本結構
6-2 零偏壓
6-3 反向偏壓
6-4 不均勻摻雜接面
6-5 pn 二極體理想電壓電流關係
6-6 二極體小信號模型
6-7 產生－復合電流
6-8 接面崩潰（反偏、電流急速增加）
6-9 電荷儲存與二極體暫態
6-10 穿隧二極體(tunnel diode)
6-11 異質接面(Heterojunction) 201 試題演練

第七章 雙極性接面電晶體
7-1 BJT 之基本結構與操作模式
7-2 少數載子分布圖與能帶圖
7-3 在順向主動模式少數載子分布之數學分析
7-4 低頻共基極電流增益
7-5 BJT 之非理想效應
7-6 BJT 等效電路模型
7-7 頻率限制
7-8 大信號切換
7-9 異質接面雙極性電晶體
(heterojunction bipolartransistor, HBT)
試題演練

第八章 金氧半場效電晶體
8-1 兩端點之MOS 結構
8-2 電容─電壓特性
8-3 基本的MOSFET 操作
8-4 頻率限制
8-5 MOSFET 之非理想效應
8-6 CMOS 技術
試題演練

第九章 金半接面與接面場效電晶體
9-1 蕭特基能障二極體
9-2 金屬一半導體歐姆接觸
9-3 接面場效電晶體
9-4 金屬─半導體接面場效電晶體(MESFET)
9-5 等效電路與頻率限制
試題演練

第十章 光電元件
10-1 基本概念
10-2 太陽能電池
10-3 光檢測器
10-4 發光二極體(Light Emitting Diode, LED)
10-5 雷射二極體(Laser Diode)
試題演練

附錄 特考／高考歷屆試題
99 年公務人員特種考試（警察人員、交通事業鐵路人員）
99 年公務人員高等考試三級考試
100 年公務人員特種考試（一般警察人員、警察人員、交通事業鐵路人員）
100 年公務人員高等考試三級考試

第一章 半導體元件簡介與固體結晶結構
1-1 半導體元件形成構
1-2 半導體元件之理論架構
1-3 半導體之產業分類
1-4 固體的型式
1-5 晶體之結構
1-6 Miller 指標
1-7 原子之鍵結
1-8 固體中之缺陷及雜質
1-9 半導體材料的成長
試題演練

第二章 量子力學與固態量子理論導論
2-1 量子力學原理
2-2 Schrodinger 波動方程式
2-3 Schrodinger 波動方程式的應用
2-4 波理論延伸至原子
2-5 能帶的形成
2-6 半導體之能帶結構
2-7 狀態密度函數
2-8 統計力學
試題演練

第三章 平衡半導體
3-1 平衡狀態下的電子與電洞濃度
3-2 本質半導體
3-3 摻雜...