《半導體器件物理》這本經典著作在半導體器件領域已經樹立起了先進的學習和參考典範。此書的第3版保留了重要半導體器件的最為詳盡的知識內容，並做了更新和重新組織，反映了當今器件在概念和性能等方面的巨大進展，它可以使讀者快速地瞭解當今半導體物理和所有主要器件，如雙極、場效應、微波、光子器件和感測器的性能特點。
本書專為研究生教材和參考所需設計，新版本包括：
以最新進展進行了全面更新；
包括了對三維MOSFET、MODFET、共振隧穿二極體、半導體感測器、量子級聯雷射器、單電子電晶體、實空間轉移器件等新型器件的敘述；
對內容進行了重新組織和安排；
各章後面配備了習題；
重新高品質地製作了書中的所有插圖。
《半導體器件物理》（第3版）為工程師、研究人員、科技工作者、高校師生提供瞭解當今應用中最為重要的半導體器件的基礎知識，對預測未來器件性能和局限性提供了良好的基礎。
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《半導體器件物理》這本經典著作在半導體器件領域已經樹立起了先進的學習和參考典範。此書的第3版保留了重要半導體器件的最為詳盡的知識內容，並做了更新和重新組織，反映了當今器件在概念和性能等方面的巨大進展，它可以使讀者快速地瞭解當今半導體物理和所有主要器件，如雙極、場效應、微波、光子器件和感測器的性能特點。
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