矽元件與積體電路製程（修訂版）

第0章　半導體與積體電路之發展史0-1　半導體之緣起0-20-2　電晶體0-20-3　積體電路0-40-4　半導體製程0-4第1章　半導體物理與材料(一)1-1　原子模型與週期表1-21-2　晶體結構1-41-3　物質種類1-71-4　本矽，質量作用定律1-91-5　摻雜質，負型和正型1-10第2章　半導體物理與材料(二)2-1　能帶2-22-2　電阻係數與薄片電阻2-52-3　載子傳輸2-9第3章　積體電路(I)：半導體元件3-1　二極體3-23-2　雙載子電晶體3-53-3　金氧半場效電晶體3-93-4　互補金氧半場效電晶體3-123-5　電阻3-133-6　電容3-153-7　電感3-16第4章　積體電路(II)：製程、電路與佈局4-1　雙載子製程技術4-24-2　MOS製程技術4-54-3　電路與積體電路4-64-4　IC設計原則4-94-5　佈局原則4-11第5章　矽晶圓之製作(一)5-1　原料配製5-25-2　矽晶棒生長5-35-3　晶片方向、切割和拋光5-6第6章　矽晶圓之製作(二)6-1　晶體方向6-26-2　晶體生長時摻雜質之分佈6-46-3　晶體缺陷6-66-4　十二吋晶圓效益分析6-8第7章　矽磊晶的成長(一)7-1　磊晶膜7-27-2　磊晶原理7-57-3　磊晶膜之生長程序7-10第8章　矽磊晶的成長(二)8-1　磊晶系統8-28-2　磊晶膜之評估8-5第9章　氧化製程(一)9-1　二氧化矽與氧化9-29-2　熱氧化爐9-39-3　氧化程序9-49-4　氧化膜之評估9-79-5　氧化膜品質改進方法9-9第10章　氧化製程(二)10-1　氧化膜厚度之決定10-210-2　氧化反應10-510-3　薄氧化層10-610-4　熱氧化時摻雜原子之重行分佈10-7第11章　摻雜質之擴散植入(一)11-1　擴散概念11-211-2　擴散過程11-311-3　擴散之分佈曲線11-12第12章　摻雜質之擴散植入(二)12-1　離子植入12-212-2　火退火12-612-3　離子佈植在CMOS積體電路製程上的應用12-812-4　離子佈植製程實務12-13第13章　微影蝕刻術(一)13-1　微影蝕刻技術13-213-2　光罩之製作13-213-3　光微影術13-513-4　微影術之光源13-10第14章　微影蝕刻術(二)14-1　濕、乾蝕刻14-214-2　濕蝕刻14-214-3　乾蝕刻14-314-4　乾蝕刻反應器14-7第15章　化學氣相沈積15-1　化學氣相沈積概念15-215-2　化學氣相沈積流程15-515-3　低壓化學氣相沈積15-1015-4　電漿化學氣相沈積15-1015-5　光照射化學氣相沈積15-1115-6　液相沈積15-12第16章　金屬接觸與蒸著16-1　金屬化之要求16-216-2　真空蒸著16-316-3　蒸著技術16-816-4　真空蒸著程序16-1216-5　合金／火退火16-1416-6　銅製程技術16-15第17章　製程潔淨控制與安全(一)17-1　潔淨程序與藥品17-217-2　水17-317-3　空氣／無塵室17-517-4　人員17-717-5　化學藥品17-817-6　氣體17-11第18章　製程潔淨控制與安全(二)18-1　高壓氣瓶18-218-2　設備上應注意事項18-518-3　廢氣之排放18-618-4　緊急時應注意事項18-9第19章　半導體元件之縮小19-1　金氧半電晶體之縮小化19-219-2　短通道效應19-4第20章　積體電路封裝20-1　積體電路封裝20-220-2　封裝分類20-320-3　封裝流程20-4

第0章　半導體與積體電路之發展史0-1　半導體之緣起0-20-2　電晶體0-20-3　積體電路0-40-4　半導體製程0-4第1章　半導體物理與材料(一)1-1　原子模型與週期表1-21-2　晶體結構1-41-3　物質種類1-71-4　本矽，質量作用定律1-91-5　摻雜質，負型和正型1-10第2章　半導體物理與材料(二)2-1　能帶2-22-2　電阻係數與薄片電阻2-52-3　載子傳輸2-9第3章　積體電路(I)：半導體元件3-1　二極體3-23-2　雙載子電晶體3-53-3　金氧半場效電晶體3-93-4　互補金氧半場效電晶體3-123-5　電阻3-133-6　電容3-153-7　電感3-16第4章　積體電路(II)：製程、電...