超微細電子元件加工技術

ch0超微細加工0.1　超微細加工之目標0-20.2　微細加工之概要0-20.2-1　超微細加工之基本0-20.2-2　用超微細加工來製作半導體IC其一例0-40.2-3　用超微細加工來製作電子顯示器EPD0-81單結晶和玻璃基板1.1　從單結晶到非結晶之基板1-21.2　玻璃基板及其製造方法1-21.3　切身之單結晶製造和來自溶液之結晶成長1-51.4　拉單晶從融液進行結晶成長1-61.4-1　坩鍋中冷卻法1-61.4.2　區域熔融法(Zonemelting法，Floatzone法FZ法)1-71.4-3　旋轉拉晶法(Czochralski法，CZ法)1-91.5　從蒸氣中成長1-111.5-1　採用閉管法來成長氣相1-111.5-2　其他之氣相成長法1-12ch2熱氧化2.1　處理方式2-32.2　熱氧化裝置2-52.3　其他之氧化裝置2-8ch3微影(曝光、描畫技術)3.1　光曝光3-23.1.1　密貼曝光法3-43.1.2　鄰近曝光法3-53.1.3　縮小投影曝光法(折射式)3-63.1.4　反射投影曝光法3-123.1.5　超解析技術3-133.2　X線曝光3-153.3　電子束曝光3-193.3.1　電子束曝光方式3-193.3.2　裝置之例3-203.3.3　電子束曝光之高生產量化3-233.3.3　鄰近效應3-24ch4蝕　刻4.1　濕蝕刻4-54.2　電漿蝕刻、激發蝕刻(圓筒型蝕刻)4-94.2.1　原　理4-94.2.2　裝　置4-104.2.3　軟　體4-134.3　微影蝕刻、濺鍍蝕刻(平行平板型、ECR型、磁控管形蝕刻)4-134.3.1　原理和特徵4-134.3.2　裝　置4-184.3.3　軟　體4-204.3.4　Cu和低介電常數材料(lowk)之蝕刻4-264.4　大型基板之蝕刻4-274.5　反應離子束蝕刻、濺鍍離子束蝕刻(離子束型蝕刻)4-274.5.1　極細離子束機器、FocussedIonBeam：FIB機器4-284.6　微機加工4-294.7　蝕刻用電漿源之開發4-324.7.1　電漿源4-324.7.2　高密度電漿HDP蝕刻4-36ch5摻雜－熱擴散和離子植入5-1　熱擴散5-25.2　離子植入5-65.2.1　離子植入和植入原子之活性化5-75.2.2　離子植入裝置5-95.2.3　離子植入之優點、缺點、第2代之要求5-125.2.4　離子植入之應用5-135.3　用來極淺接合之離子植入5-155.4　高速退火裝置RTA(照射燈退火裝置)5-16ch6薄膜之基本性質和薄膜製作法之概要6.1　何謂薄膜6-26.2　薄膜之製作方法6-46.3　薄膜之成長6-66.3.1　核成長6-76.3.2　單層成長6-96.3.3　非結晶膜之成長6-96.4　外延-基板結晶與成長膜結晶之方位關係6-106.4.1　外延溫度6-116.4.2　基板結晶之劈開6-126.4.3　壓力之影響6-146.4.4　殘留氣體之影響6-146.4.5　蒸鍍速度之影響6-146.4.6　基板表面之缺陷－電子線照射之影響6-156.4.7　電場之影響6-166.4.8　離子之影響6-166.4.9　膜厚之影響6-166.4.10misfit6-166.5　非結晶構造6-166.5.1　何謂非結晶6-176.5.2　當作一般材料之非結晶(不是薄膜)6-176.5.3　非結晶薄膜6-186.5.4　非結晶Si膜之多結晶化6-196.6　薄膜之基本性質6-206.6.1　電氣電導6-206.6.2　阻抗溫度係數TCR6-226.6.3　薄膜之密度6-236.6.4　長期變化6-236.6.5　介電質膜6-246.6.6　薄膜之內部應力6-256.6.7　電遷移6-266.7　採用真空之薄膜製作法之概要6-306.8　源和膜之組成－如何得到目的之膜組成？6-336.8.1　蒸鍍和離子鍍敷6-346.8.2　濺　鍍6-356.9　附著強度－如何強固附著膜6-366.9.1　前處理6-376.9.2　蒸鍍時之條件6-466.9.3　蒸鍍和濺鍍之比較－不加熱之情形6-516.9.4　蒸鍍、離子鍍敷、濺鍍之比較－能進行加熱、離子轟擊時6-526.10　分步敷層、蔓延率－凹凸之嚴重面鍍薄膜6-546.11　電漿及其作用－改善膜質、開發新技術6-566.11.1　電　漿6-566.11.2　電漿之製造方法6-596.11.3　基本構成之主要用途6-626.12　針孔和無塵室6-63ch7氣相成長法、CVD、外延成長7.1　熱CVD7-37.1.1　主要之生成反應7-47.1.2　熱CVD法之特徵7-77.1.3　熱CVD裝置7-87.1.4　反應爐7-97.1.5　常壓CVD－NormalPressureCVD(NPCVD)7-97.1.6　減壓CVD－LowPressureCVD(LPCVD)7-127.2　電漿CVD-PlasmaEnhancedCVD(PCVD)7-147.2.1　電漿和生成反應7-157.2.2　裝置之基本構成和反應室之電極構造7-157.3　光CVD、Photo-CVD7-187.4　MOCVD，MetalorganicCVD7-207.5　金屬CVD7-227.5.1　鎢絲CVD7-247.5.2　Al-CVD7-257.5.3　Cu-CVD7-277.5.4　勢壘金屬、TiN-CVD7-307.6　半球狀晶粒多結晶矽-CVD、HSG-CVD7-317.7　強感電體之CVD7-347.8　低介電常數薄膜7-367.9　有關高畫質電視之關閉，低溫多晶矽膜、Cat-CVD7-367.10基蓮蓬式CVDRS-CVD7-39ch8蒸鍍和離子鍍敷8.1　蒸鍍源8-28.1.1　電阻加熱蒸鍍源8-28.1.2　熱陰極電子束蒸鍍源8-58.1.3　使用空洞陰極放電用HCD之電子束蒸鍍源8-68.2　蒸鍍源之蒸氣輻射特性和基板之配置8-78.3　蒸鍍時之壓力8-128.4　蒸鍍之實例8-138.4.1　透明導電膜、In2O3-SnO2系8-138.4.2　分子束外延MBE8-158.4.3　合金之蒸鍍－快速蒸鍍8-188.5　離子鍍敷8-198.5.1　離子鍍敷之方式8-198.5.2　膜之附著強度8-228.5.3　膜之結晶性8-238.6　離子束(輔助)蒸鍍8-238.7　離子混合、離子束表面之改質法8-248.8　雷射磨蝕PLA8-25ch9濺　鍍9.1　濺鍍現象9-29.1.1　離子之能量和濺鍍率、輻射角度分布9-39.1.2　濺鍍率9-59.1.3　被濺鍍之原子能9-79.2　濺鍍之方式9-79.2.1　磁控管濺鍍9-99.2.2　ECR濺鍍9-129.2.3　高頻濺鍍9-129.3　大電極磁控管濺鍍9-139.4　以濺鍍氣體壓力0為目標－深的超微細孔之埋入9-159.4.1　準直濺鍍9-169.4.2　長距離濺鍍9-179.4.3　高真空濺鍍9-189.4.4　自行濺鍍9-219.4.5　離子化濺鍍9-279.5　濺鍍之實例9-299.5.1　鉭濺鍍9-299.5.2　鋁和其合金之濺鍍9-349.5.3　氧化物之濺鍍：超電導和ITO透明導電膜9-37ch10精密電鍍10.1　電　鍍10-210.2　電鍍膜之成長10-310.3　製作電子元件之技術10-610.4　高科技之電鍍銅10-710.5　實際所使用之電鍍裝置之例10-12ch11平坦化技術11.1　平坦化技術之必要性11-211.2　平坦化技術之概要11-311.3　不產生凹凸之薄膜成長11-511.3.1　選擇成長11-511.3.2　採用回流之埋孔(濺鍍)11-711.3.3　採用氧化物之埋入之平坦化11-811.4　一面加工，一面防止發生凹凸之薄膜成長11-1011.4.1　偏壓濺鍍11-1011.4.2　分離法11-1111.5　使薄膜成長，進行後加工之平坦化11-1111.5.1　塗　佈11-1111.5.2　雷射平坦化11-1211.5.3　回　流11-1211.5.4　內　蝕11-1211.5.5　陽極氧化和離子植入11-1311.6　埋入技術之例11-1411.7　CMP(ChemicalMechanicalPolishing)技術11-1611.8　Damascene法11-1811.9　高密度微細接觸11-19

ch0超微細加工0.1　超微細加工之目標0-20.2　微細加工之概要0-20.2-1　超微細加工之基本0-20.2-2　用超微細加工來製作半導體IC其一例0-40.2-3　用超微細加工來製作電子顯示器EPD0-81單結晶和玻璃基板1.1　從單結晶到非結晶之基板1-21.2　玻璃基板及其製造方法1-21.3　切身之單結晶製造和來自溶液之結晶成長1-51.4　拉單晶從融液進行結晶成長1-61.4-1　坩鍋中冷卻法1-61.4.2　區域熔融法(Zonemelting法，Floatzone法FZ法)1-71.4-3　旋轉拉晶法(Czochralski法，CZ法)1-91.5　從蒸氣中成長1-111.5-1　採用閉管法來成長氣相1-111.5-2　其他之氣...