升研究所－電子學精華（上）

1章　半導體概論1-1　原子結構與元素週期表1-21-2　遷移率(Mobility)，μ1-41-3　漂移電流(DriftCurrentDensity)1-71-4　擴散電流(DiffusionCurrent)1-91-5　愛因斯坦關係式(EinsteinRelation)1-111-6　歐姆定理(Ohmic-Law)1-121-7　本質半導體(IntrinsicSemiconductor)1-131-8　摻雜→外質半導體(ExtrinsicSemiconductor)1-141-8-1　施體雜質(Donors)與N型半導體(NType)1-141-8-2　受體雜質(Acceptors)與型半導體(Type)1-161-9　本質與雜質半導體的電子、電洞濃度和電阻係數1-172章　二極體與二極體電路2-1　PN二極體的開路特性2-32-1-1　空乏區2-62-1-2　內建電壓的電位變化　　波茲曼方程式2-72-2　開路時接面電壓與空乏區寬度的關係2-102-3　外加偏壓之接面的空乏區寬度變化2-152-3-1　順向偏壓(forwardbias)2-152-3-2　逆向偏壓(reversebias)2-172-4　二極體的少數載子電流電壓方程式2-192-5　二極體電流方程式2-232-6　二極體的溫度效應2-242-7　二極體等效電路之五大解法2-262-8　擴散電容量(DiffusionCapacitance)，CD2-342-9　過渡電容量(TransitionCapacitor)，CT2-352-10二極體之內阻2-392-11稽納二極體(zenerdiode)2-422-12截波電路(ClippingCircuit)2-502-13箝位電路(ClampingCircuit)2-602-14整　流2-643章　BJT直流篇3-1　BJT的製造與構造3-23-2　BJT的四個操作區(Region)3-63-3　BJT的電流增益(CurrentGain)　　、、3-93-4　BJT電晶體的三種放大組合狀態(三態)3-143-5　歐萊效應(EarlyEffect)3-193-6　直流工作點與放大作用3-313-7　共射式放大電路直流偏壓設計3-353-7-1　固定偏壓法(FixedBias)3-363-7-2　射極回授偏壓法(Emitter-FeedbackBias)3-373-7-3　自給偏壓法(Self-Bias)3-383-7-4　集極回授偏壓法(Collector-FeedbackBias)3-413-8　直流負載線(DCLoadLine)3-523-9　交流負載線與最大輸出擺幅3-554章　BJT交流小信號分析4-1　小信號之定義4-24-1-1　泰勒級數展開式4-24-1-2　BJT之與4-24-1-3　曲線變直線　　微分得切線直線方程式　　gm4-34-2　h參數(Hybrid-parameter)4-84-3　C-E電路分析4-114-3-1　無RE　　固定偏壓電路4-114-3-2　有RE，但無CE4-134-3-3　含-射極旁路電容器4-154-4　共基式小信號放大分析4-284-5　共集式-射極追隨器(EmitterFollower)4-344-6　達靈頓(DarlingtonCircuit)4-494-7　串疊組態(Cascode)4-574-8　串級(多數放大)4-645章　大信號放大電路5-1　A類(甲類)放大器5-35-2　B類互補式SEPP放大方式5-75-3　交叉失真的產生與AB類(甲乙類)放大器5-215-4　功率遞減因素與散熱5-296章　J-FET6-1　N-通道JFET6-56-1-1　FET由三極體區(電阻區)進入夾止區(飽和區)6-76-1-2　的定義6-116-1-3　＝的定義：夾止(Pinch-OFF)6-126-2　N-FET的電壓電流方程式6-136-2-1　三極體區(TriodeRegion)電壓電流方程式6-156-2-2　三極體區與飽和區(夾止區)之分界6-166-2-3　夾止區(PinchRegion)電壓電流方程式6-186-2-4　歐萊效應(EarlyEffect)6-216-2-5　三極體區可擔任電阻器6-226-3　N-JFET的三種直流偏壓設計6-256-3-1　固定偏壓(fixedbias)6-266-3-2　源極自給偏壓(self-bias)6-276-3-3　自給偏壓與固定偏壓合用6-286-4　JFET的交流分析6-316-4-1　共源式RS不存在6-346-4-2　共源式含RS存在　使用戴維寧等效電路6-356-5　JFET共汲式放大器：源極隨耦器6-446-5-16-506-6　P通道JFET6-517章　MOS-FET7-1　N通道增強型MOSFET7-37-1-1　物理結構7-47-1-2　電流方程式7-67-1-3　三極體區(歐姆區)7-87-1-4　分界線(Boundary)7-97-1-5　夾止區(定電流區、飽和區)7-117-1-6　EarlyEffect7-127-1-7　增強型MOS之交流分析：7-137-1-8　基體效應7-157-2　直流偏壓分析7-177-2-1　自動偏壓方式7-177-2-2　汲極回授偏壓方式7-337-2-3　增強型MOS當作電阻器使用7-397-3　共閘式放大器與疊串式放大7-417-4　增強型P通道MOSFET7-467-5　空乏型N通道MOSFET7-517-6　P通道空乏型MOSFET7-618章　電流鏡(CurrentMirror)8-1　電晶體式1比1電流鏡(β＋2比β)8-38-2　電流鏡之主動負載8-198-3　威爾森電流鏡(TheWilsonCurrentMirror)8-218-4　衛得勒電流鏡(WidlarCurrentMirror)8-248-5　CurrentMiirror之內阻8-268-6　增強型MOSFET之電流鏡8-318-7　MOS電流鏡之內阻8-419章　差動放大器9-1　差動放大器的基本結構9-29-2　差動放大器的放大方式9-39-3　差動放大會拒絕共模雜訊(除暴)9-59-4　差動放大器只放大差模信號(安良)9-79-5　差模增益、共模增益、CMRR與Vo9-89-6　差動放大器之直流工作點分析9-119-7　差模信號的最大輸入範圍9-139-8　差動放大器之交流信號特性分析9-169-8-1　差模半電路9-177-8-2　共模半電路9-199-9　FET之差動放大器9-289-10第二類差動放大CMRR與CCS9-379-11第三類差動放大器　　主動負載裝置9-50

1章　半導體概論1-1　原子結構與元素週期表1-21-2　遷移率(Mobility)，μ1-41-3　漂移電流(DriftCurrentDensity)1-71-4　擴散電流(DiffusionCurrent)1-91-5　愛因斯坦關係式(EinsteinRelation)1-111-6　歐姆定理(Ohmic-Law)1-121-7　本質半導體(IntrinsicSemiconductor)1-131-8　摻雜→外質半導體(ExtrinsicSemiconductor)1-141-8-1　施體雜質(Donors)與N型半導體(NType)1-141-8-2　受體雜質(Acceptors)與型半導體(Type)1-161-9　本質與雜質半導體的電子、電洞濃度和電阻係數1-172章　二極體與二極體電路2-1　PN二極體的開路特性2-32-1-1　...