第1章概論1-1　原子結構與元素週期表1-21-21本質半導體(IntrinsicSemiconductor)1-41-3　摻雜→外質半導體(ExtrinsicSemiconductor)1-51-3-1　施體雜質(Donors)與N型半導體(NType)1-61-3-2　受體雜質(Acceptors)與P型半導體(PType)1-101-4　本質半導體、外質半導體的電阻溫度係數1-121-5　積體電路1-14第2章二極體與稽納二極體2-1　PN二極體的開路特性2-22-1-1　空乏區2-42-1-2　障壁電壓2-52-2　二極體之外加偏壓特性2-72-2-1　順向偏壓(forwardbias)2-72-2-2　逆向偏壓(reversebias)2-92-3　二極體電流方程式2-122-3-1　順向偏壓V-I曲線2-122-3-2　逆向偏壓之V-I曲線2-132-4　二極體之五大等效電路解法2-152-4-1　理想二極體(idealdiode)等效電路2-152-4-2　定電壓模式等效電路2-182-4-3　戴維寧等效電路，含順向內阻與障壁電壓2-212-5　二極體的溫度效應2-242-5-1　障壁電壓之溫度效應2-252-5-2　逆向飽和電流(漏電電流)之溫度效應2-252-6　二極體之內阻2-282-6-1　直流靜態內阻2-282-6-2　交流動態內阻2-292-7　二極體的電容效應2-312-7-1　擴散電容量(DiffusionCapacitance，CD)2-312-7-2　過渡電容量(TransitionCapacitor，CT)2-322-8　可變電容二極體(variablecapacitance-diode)2-352-9　稽納二極體(ZenerDiode)2-362-9-1　理想的zener特性2-382-9-2　實際的zener特性2-42第3章電源電路3-1　概　論3-23-1-1　正弦波(sinewave)3-23-1-2　正弦波振幅的四值：VP-P、Vm、Vrms、Vav3-33-1-3　正弦波經全波整流振幅的三值3-73-1-4　正弦波經半波整流振幅的三值3-83-2　半波整流電路3-103-2-1　工作原理3-113-2-2　半波整流之輸出值3-133-2-3　實際的半波整流輸出波形3-153-2-4　半波整流加濾波電容器3-163-3　中心抽頭式全波整流器3-173-3-1　工作原理3-193-3-2　中心抽頭式的輸出值3-213-3-3　實際的中心抽頭式整流輸出波形3-213-4　橋式全波整流3-223-4-1　工作原理3-243-4-2　橋式整流的輸入值3-273-4-3　實際的橋式整流輸出波形3-293-5　倍壓整流電路3-313-5-1　半波倍壓電路3-313-5-2　全波倍壓電路3-343-6　漣波與漣波百分比3-373-6-1　漣波因數(ripplefactor)3-373-6-2　濾波電路與漣波百分比3-393-6-3　證明全波3-41第4章雙極性電晶體BJT4-1　雙極性與單極性4-24-1-1　BJT的製造與符號4-34-1-2　VOM測BJT之各腳4-54-1-3　電晶體的編號4-74-2　JE順向、JC逆向與β值4-94-2-1　工作區(Active)：為何JE順向、JC逆向4-94-2-2　電晶體的電流增益(CurrentGain)－β值4-134-3　電晶體的三種放大組態(三態)4-164-3-1　共基式(C-B)4-174-3-2　共射式(C-E)4-194-3-3　共集式(C-C)射極隨耦器4-214-4　電晶體的三區：飽和區、工作區、截止區4-254-4-1　截止區(cut-OFFregion)4-294-4-2　主動區(activeregion)4-294-4-3　飽和區(satregion)4-314-5　直流負載線(DCLoadLine)4-324-6　電晶體與開關電路4-364-6-1　電晶體與反相器4-364-6-2　電晶體與LED4-384-6-3　電晶體與繼電器4-39第5章電晶體的靜態工作點－直流偏壓分析5-1　共射式放大電路偏壓設計5-25-1-1　固定偏壓法(FixedBias)5-25-1-2　射極回授偏壓法(Emitter-FeedbackBias)5-85-1-3　自給偏壓法(Self-Bias)5-125-1-4　集極回授偏壓法(Collector-FeedbackBias)5-215-2　共集極式偏壓電路5-265-3　共基極式偏壓電路5-285-4　電流鏡(TheCurrentMirror)5-315-4-1　電晶體式1比1電流鏡(β＋2比β　1：1)5-315-4-2　威爾森電流鏡(TheWilsonCurrentMirror)5-345-4-3　增強型MOSFET之電流鏡5-365-5　小信號之定義5-385-6　參數之定義5-415-7　h參數的近似解5-455-7-1　h參數移植在C-E電晶體5-495-8　C-E四大電路分析5-525-8-1　無RE－固定偏壓電路5-525-8-2　有RE，但無CE5-575-8-3　含CE－射極旁路電容器5-625-8-4　含有信號源內阻－RS5-695-9h參數移植在C-C電晶體5-715-9-1　共集式－CC式放大電路5-725-10達靈頓電路(DarlingtonCircuit)5-795-11串級放大5-83第6章　多級放大6-1　與6-26-2　串級放大之──賺了AVT，賠了BWT6-46-3　米勒效應(MillerEffect)6-76-3-1　米勒電阻器6-76-3-2　米勒電容器(量)6-106-4　高頻不良之元凶6-146-4-1　fα，fβ，fT6-156-5　低頻響應不良之元凶6-18附錄A接合面場效應電晶體J-FETA-1　FET的分類A-2A-1-1　何謂單載子？何謂雙載子？A-6A-1-2　何謂電壓控制元件？何謂電流控制元件？A-8A-2　N€q道JFETA-10A-2-1　FET由三極體區(電阻區)進入夾止區(飽和區)A-11A-2-2　IDSS的定義A-15A-2-3　Vp＝VGS(OFF)的定義：夾止(Pinch-OFF)A-17A-2-4　三極體區與飽和區(夾止區)之分界A-18A-3　N-JFET的電壓電流方程式A-20A-3-1　三極體區(TriodeRegion)電壓電流方程式A-21A-3-2　夾止區(PinchRegion)電壓電流方程式A-24A-4　N-JFET的三種直流偏壓設計A-27A-4-1　固定偏壓(fixedbias)A-29A-4-2　源極自給偏壓(self-bias)A-31A-4-3　自給偏壓與固定偏壓合用A-34A-4-4　總整理A-37A-5　JFET的交流分析A-40A-5-1　交流信號轉移函數€?gmA-40A-5-2　JFET交流等效電路A-41A-6　JFET共源式放大器A-42A-6-1　共源式RS不存在A-42A-6-2　共源式含存在　使用戴維寧等效電路A-45A-7　JFET共汲式放大器：源極隨耦器A-48A-7-1　靴帶式電路A-52A-8　P通道JFETA-53A-9　FET與BJT之優缺點A-55附錄B　MOS-FET金氧半場效應電晶體B-1　N通道增強型MOSFETB-4B-1-1　物理結構B-4B-1-2　電流方程式B-6B-1-3　三極體區(歐姆區)B-9B-1-4　夾止區(定電流區、飽和區)B-11B-2　N通道增強型MOSFET之直流偏壓分析B-13B-2-1　自給偏壓方式B-13B-2-2　汲極回授偏壓方式B-18B-2-3　MOS增強型之電流鏡(CurrentMirror)B-25B-3　N通道增強型MOSFET之交流分析€?gmB-28B-4　增強型P通道MOSFETB-31B-5　空乏型N通道MOSFETB-34B-6　空乏型P通道MOSFETB-38

第1章概論1-1　原子結構與元素週期表1-21-21本質半導體(IntrinsicSemiconductor)1-41-3　摻雜→外質半導體(ExtrinsicSemiconductor)1-51-3-1　施體雜質(Donors)與N型半導體(NType)1-61-3-2　受體雜質(Acceptors)與P型半導體(PType)1-101-4　本質半導體、外質半導體的電阻溫度係數1-121-5　積體電路1-14第2章二極體與稽納二極體2-1　PN二極體的開路特性2-22-1-1　空乏區2-42-1-2　障壁電壓2-52-2　二極體之外加偏壓特性2-72-2-1　順向偏壓(forwardbias)2-72-2-2　逆向偏壓(reversebias)2-92-3　二極體電流方程式2-122-3-1　順向偏壓V-I曲線...