第1章　GaN有關發光及雷射二極體元件1.1　GaN有關發光及雷射二極體之發展　現況1-11.2　GaN有關LD及LED之近況1-211.3　InGaNUVLED之發展1-311.4　InGaN雷射之近況1-511.5　InGaN雷射二極體之最新近況1-731.6　InGaN藍光雷射之特性與爭論1-88第2章　GaN有關材料之成長2.1　MOCVD在SApphire上成長GaN　時緩衝層之任務2-12.2　MOCVD成長Mg摻雜p-GaN之特性2-252.3　MBE成長GaN藍色發光材料及元件2-532.4　HVPE成長GaN厚膜2-79第3章　AlGaInP發光及雷射二極體3.1　AlGaInP紅光雷射二極體之研討3-13.2　高功率DVD紅光雷射二極體3-323.3　高亮度AlGaInP發光二極體3-55第4章　高效率發光二極體4.1　高效率發光二極體4-14.2　高效率發光二極體(Ⅱ)4-18第5章　光纖通訊有關發光元件5.1　光纖通訊之光源5-15.2　垂直共振腔面射型雷射二極體5-355.3　最新的半導體元件材料：Ⅲ-Ⅴ半導體　自然氧化物5-655.4　GaInNAs：新穎的高溫操作長波長半導　體雷射材料5-85

第1章　GaN有關發光及雷射二極體元件1.1　GaN有關發光及雷射二極體之發展　現況1-11.2　GaN有關LD及LED之近況1-211.3　InGaNUVLED之發展1-311.4　InGaN雷射之近況1-511.5　InGaN雷射二極體之最新近況1-731.6　InGaN藍光雷射之特性與爭論1-88第2章　GaN有關材料之成長2.1　MOCVD在SApphire上成長GaN　時緩衝層之任務2-12.2　MOCVD成長Mg摻雜p-GaN之特性2-252.3　MBE成長GaN藍色發光材料及元件2-532.4　HVPE成長GaN厚膜2-79第3章　AlGaInP發光及雷射二極體3.1　AlGaInP紅光雷射二極體之研討3-13.2　高功率DVD紅光雷射二極體3-323.3　高亮度A...