第１章 微影照像
1.1 緒 論
1.2 ULSI微影技術的延伸與極限
1.3 提升光學微影製程的技術
1.4 深次微米微影照像
1.5 電子束微影技術
1.6 光罩和圖規
1.7 阻劑和抗反射覆蓋
1.8 參考文獻
1.9 習 題
第２章 低介電常數材料及其製程
2.1 緒 論
2.2 低介電常數材料用於ULSI
2.3 材料種類和演進
2.4 金屬前介電質
2.5 含二氧化矽的介電質
2.6 其他的無機低介電常數材料
2.7 有機低介電常數材料
2.8 特性量測、蝕刻
2.9 參考文獻
2.10 習 題
第３章 高介電常數材料製程
3.1 緒 論
3.2 順電和鐵電材料
3.3 鈦酸鍶鋇和電容結構
3.4 鈦鋯酸鉛和鉭酸鉍鍶鐵電材料
3.5 薄膜製作
3.6 鐵電薄膜的可靠度和特性分析
3.7 蝕刻製程
3.8 參考文獻
3.9 習 題
第４章 閘極工程技術
4.1 緒 論
4.2 深次微米製程的閘極
4.3 金屬矽化物
4.4 閘極結構和技術
4.5 閘極介電層
4.6 淺溝渠隔離
4.7 淺接面和升起式源極∕汲極
4.8 基板工程
4.9 電漿製程損傷
4.10 未來展望
4.11 參考文獻
4.12 習 題
第５章 金屬連線技術
5.1 緒 論
5.2 鋁和阻障金屬
5.3 物理氣相沉積
5.4 先進的物理氣相沉積
5.5 化學氣相沉積
5.6 參考文獻
5.7 習 題
第６章 銅製程
6.1 緒 論
6.2 銅製程的優缺點
6.3 銅製程應用於ULSI
6.4 擴散阻障層及其製作
6.5 銅晶種層及其製作
6.6 電鍍銅
6.7 其他沉積銅的方法
6.8 銅的蝕刻
6.9 製程難題和化學機械研磨
6.10 環保對策
6.11 參考文獻
6.12 習 題
第７章 高密度電漿乾蝕刻
7.1 緒 論
7.2 高密度電漿源
7.3 電子迴旋共振（ECR）蝕刻
7.4 感應耦合式電漿（ICP）蝕刻
7.5 電漿特性檢測
7.6 製程監督和終點偵測
7.7 晶圓電漿洗淨
7.8 參考文獻
7.9 習 題
第８章 半導體記憶體元件
8.1 緒 論
8.2 製程技術發展的趨勢
8.3 DRAM的電容器
8.4 內嵌式DRAM
8.5 快閃記憶體
8.6 鐵電記憶體
8.7 參考文獻
8.8 習 題
第９章 十二吋晶圓
9.1 緒 論
9.2 晶圓的品質規格
9.3 晶圓切片拋光和清洗
9.4 晶圓洗淨
9.5 晶圓回收
9.6 自動化
9.7 離子植入
9.8 參考文獻
9.9 習 題
第10章 半導體奈米元件
10.1 緒 論
10.2 奈米科技在半導體
10.3 奈米材料
10.4 奈米電子元件的製作和應用
10.5 單電子電晶體
10.6 掃描探針量測
10.7 參考文獻
10.8 習 題
第11章 廠務設施
11.1 緒 論
11.2 潔淨室
11.3 化學污染及化學空氣過濾器
11.4 迷你環境和局部潔淨化
11.5 傳輸設備系統
11.6 氣 體
11.7 質流控制器
11.8 超純水
11.9 地震災害及對策
11.10 參考文獻
11.11 習 題
2024專利防護中