封面故事
高速運算添新「憶」
AI、5G、IoT和工業4.0等應用讓資訊量呈現爆炸式的成長,龐大的資料量不僅帶來更高容量的儲存需求;同時因應高速運算,記憶體還具備更快的資料讀取速度。面對更多、更快、更低功耗的資料存取要求,DRAM、SRAM和NAND Flash等傳統記憶體已逐漸遇到瓶頸,因此,新興記憶體如磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)、鐵電隨機存取記憶體(FRAM)、電阻式隨機存取記憶體(RRAM)和相變隨機存取記憶體(PCRAM)等便相繼興起。
例如MRAM可以整合於物聯網晶片設計的後端互連層,進而實現更小的晶粒尺寸,並降低成本;而FRAM、RRAM、PCRAM等則能透過更高的效能與低延遲優化資料中心工作負載,實現更多雲端運算應用,為此,半導體產業紛紛開始加快新興記憶體布局。
作者簡介:
※新電子科技雜誌簡介
新電子科技雜誌於1986年創刊,以台灣資訊電子上下游產業的訊息橋樑自居,提供國際與國內電子產業重點資訊,以利產業界人士掌握自有競爭力。雜誌內容徹底執行各專欄內容品質,透過讀者回函瞭解讀者意見,調整方向以專業豐富的內容建立特色;定期舉辦研討會、座談會、透過產業廠商的參與度,樹立專業形象;透過網際網路豐富資訊的提供,資訊擴及華人世界。
更多資訊請參考:http://www.mem.com.tw
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高速運算添新「憶」
AI、5G、IoT和工業4.0等應用讓資訊量呈現爆炸式的成長,龐大的資料量不僅帶來更高容量的儲存需求;同時因應高速運算,記憶體還具備更快的資料讀取速度。面對更多、更快、更低功耗的資料存取要求,DRAM、SRAM和NAND Flash等傳統記憶體已逐漸遇到瓶頸,因此,新興記憶體如磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)、鐵電隨機存取記憶體(FRAM)、電阻式隨機存取記憶體(RRAM)和相變隨機存取記憶體(PCRAM)等便相繼興起。
例如MRAM可以整合於物聯網晶片設計的後端互連層,進而實現更小的晶粒尺寸,並降低成本;而FRAM、RRAM、PCRAM等則能透過更高的效能與低延遲優化資料中心工作負載,實現更多雲端運算應用,為此,半導體產業紛紛開始加快新興記憶體布局。
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