3D-IC構裝技術可大大縮短微電子元件之導線長度，使得晶片間的傳輸速度加快、雜訊更小、效能更佳，尤其在CPU與記憶體(Memory)，以及記憶卡應用中的Flash與Controller間資料的傳輸上，更能突顯TSV在縮短內部導線連接路徑所帶來的優勢。此外，現今電子產業在強調多功能、小尺寸行動電子產品的帶動下，3D IC的小型化特性，可謂是驅動整體市場發展的首要因素。簡單而言，矽導孔技術(Through Silicon Via；簡稱TSV)是在晶圓上以蝕刻(Etch)或雷射(Laser)的方式形成導線連接之導孔(Via)，再將導電材料如銅(Cu)、多晶矽(Poly Silicon)、鎢(W)等填入導孔(Via)中，以形成導電通道，最後將晶圓薄化再加以堆疊(Stacking)及接合(Bonding)，進而形成3D-IC構裝體。
　　由於目前TSV仍有許多技術挑戰尚待克服，所以國際間許多著名的學術與研究機構，以及半導體大廠紛紛加入研發以TSV為基礎的3D晶片堆疊技術，從2009年開始在各型研討會上皆可看到許多有關TSV的相關論文發表，包括製程、可靠度分析、自動化設計、系統設計等，可知TSV製程已成為晶片立體堆疊技術之主流。有鑑於此，本書將整合最新TSV相關知識，介紹先進微電子3D IC構裝技術，讓讀者能夠快速掌握TSV技術之發展方向。

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